Nicht lange nach der Ankündigung der neuen Samsung Galaxy S10-Serie kommt das Unternehmen mit einer weiteren großen Ankündigung voran. Man könnte argumentieren, dass dies für die gesamte Mobilfunkbranche genauso wichtig ist. Wir sprechen über den ersten 512 GB eUFS 3.0-Speicher, der gegenüber der Vorgängergeneration große Leistungssteigerungen bietet.

Die neuen 512 GB eUFS 3.0-Chips sind bereits in Massenproduktion und übertreffen die eUFS 2.1-Chips doppelt. Der Executive Vice President für Memory Sales und Marketing bei Samsung Electronics ging noch weiter und sagte, dass der neue Standard die heutigen ultraflachen Laptops in Bezug auf die Speicherleistung aufholen kann.

Der 512-GB-eUFS-3.0-Speicher bietet Platz für acht 512-Gigabit-V-NAND-Chips der 5. Generation und profitiert von einem neuen Hochleistungscontroller. Er kann Lesegeschwindigkeiten von bis zu 2.100 MB / s erreichen, was doppelt so schnell ist wie aktuelle eUFS-2.1-Chips. Tatsächlich ist die Lesegeschwindigkeit etwa viermal so hoch wie bei herkömmlichen SSDs, die auf der SATA-Schnittstelle ausgeführt werden. Die Schreibgeschwindigkeit sollte bei etwa 410 MB / s liegen – im gleichen Bereich wie SATA-SSDs.